曹沐，男，汉族，1990年生，2019年度中国复合材料学会优秀博士学位论文提名奖获得者，现工作于上海华力微电子有限公司，从事Static Random Access Memory (SRAM)芯片的前端设计与开发。2019年获上海交通大学材料学博士学位，学位论文先后被评为上海交通大学校级和学院优博论文。读博期间个人获得金属基复合材料国家重点实验室特等奖和华为一等奖等奖学金。

攻读博士学位期间主要从事高强度、高导电金属基复合材料的开发制备与研究。博士论文“高导电石墨烯/铜复合材料的设计制备及界面效应”成功实现了高质量CVD石墨烯在铜基体内的高取向排列，并具有高于基体3个数量级的导电性能，获得目前室温电导率最高的金属材料；阐明了金属基体内部石墨烯高导电性能机理；建立了取向石墨烯/铜复合材料的可宏量化制备方法，为制备结构-功能一体化金属基复合材料提供了技术原型。先后在Advanced Function Materials、ACS Nano等期刊发表论文5篇，引用次数总计250余次，其中一篇论文同时入选热点和高被引论文。